Samsung celebra el primer envío de chips Gate-All-Around de 3nm

Samsung comenzó a fabricar chips utilizando el proceso Gate-All-Around (GAA) de 3nm el mes pasado y hoy realizó una ceremonia para celebrar el primer envío de chips.

A la ceremonia asistieron alrededor de 100 personas, incluidos ejecutivos y empleados de la empresa, directores ejecutivos de empresas que desean utilizar la nueva tecnología, así como Lee Chang-yang, Ministro de Comercio, Industria y Energía, que se compromete a apoyar el ecosistema de semiconductores del país. .

    CEO de Samsung Electronics, Ministro Lee Chang-yang y CEO de la División de Fundición de Samsung Electronics
De izquierda a derecha: CEO de Samsung Electronics, Ministro Lee Chang-yang y CEO de la División de Fundición de Samsung

Samsung Electronics comenzó a investigar transistores GAA a principios de la década de 2000 y experimentó con el diseño en 2017. Ahora está listo para producir chips en masa utilizando el nuevo proceso.

En comparación con el diseño FinFET, que ha sido el estándar durante varios años, el diseño Gate-All-Around permite que los transistores transporten más corriente sin dejar de ser relativamente pequeños.

Según Samsung, los chips GAA de 3 nm usarán un 45 % menos de energía, serán un 23 % más rápidos y un 16 % más pequeños en comparación con un chip FinFET de 5 nm similar. Esta es la primera generación del proceso GAA. Por cierto, Gen 2 mejorará aún más estas métricas.

La evolución de los transistores FET: Samsung utiliza el diseño MBCFET para sus chips de 3 nm
La evolución de los transistores FET: Samsung utiliza el diseño MBCFET para sus chips de 3 nm

Samsung no especifica qué tipo de chips se almacenaron para el primer envío, pero la compañía planea desarrollar conjuntos de chips para teléfonos inteligentes utilizando el diseño GAA de 3nm.

TSMC también comenzará a fabricar en masa chips de 3nm a finales de este año, aunque seguirán usando el diseño FinFET: la empresa pasará a GAAFET con la transición a un nodo de 2nm.

Fuente (en coreano) | Pasando por

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