Samsung lanza la producción de chips de 3nm de primera generación

Samsung Foundry ha anunciado que comenzará la producción en masa de sus chips de primera generación en el nodo de 3 nm. Se basa en la nueva arquitectura de transistores GAA (Gate-All-Around), que es el siguiente paso después de FinFET.

En comparación con los 5 nm, los chips de 3 nm de primera generación de Samsung pueden proporcionar hasta un 23 % más de rendimiento, una reducción de hasta el 45 % en el consumo de energía y una reducción del 16 % en el área.

El nodo de 3 nm de segunda generación de Samsung será aún más impresionante: en comparación con los 5 nm, Samsung afirma que ofrecerá una reducción del 50 % en el consumo de energía, una mejora de hasta el 30 % en el rendimiento y una reducción del 35 % en el área de superficie.

Samsung lanza la producción del nodo de 3nm de primera generación

Samsung ahora está por delante de TSMC, que se espera que comience la producción en masa de chips de 3nm en la segunda mitad.

El diseño de los transistores Gate-All-Around (GAA) permite que la fundición reduzca el tamaño de los transistores, sin afectar su capacidad para transportar corriente. El diseño GAAFET utilizado en el nodo de 3 nm es la versión MBCFET que se muestra en la imagen a continuación.

La evolución de los transistores de silicio.
La evolución de los transistores de silicio.

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